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韩国业界正朝存储器中心的运算方向努力迈进
  • 来源:云岑网络
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  • 2018/06/08
[摘要] 云岑网络(www.idccen.com) 2018年6月8日消息:如今的计算机系统主要由中央处理器(CPU)、临时储存运算数据的主存储器(RAM)以及相关储存装置组成,但可惜的是,无论CPU运行速度有多么快,仍然受限于RAM以及储存速度。为了进一步提升计算机的运行速度,日前,韩国业界正朝着存

云岑网络(www.idccen.com) 2018年6月8日消息:如今的计算机系统主要由中央处理器(CPU)、临时储存运算数据的主存储器(RAM)以及相关储存装置组成,但可惜的是,无论CPU运行速度有多么快,仍然受限于RAM以及储存速度。为了进一步提升计算机的运行速度,日前,韩国业界正朝着存储器中心的运算努力迈进。

韩国业界正朝存储器中心的运算方向努力迈进


剧韩国多家媒体报导,目前计算机设计结构大致分为CPU、RAM与储存装置,但未来可望朝CPU与储存级存储器(Storage Class Memory;SCM)转换。SCM又被称为持久型存储器,一方面维持DRAM速度,但又具有关闭电源后,数据不会消失的非挥发性与高容量优点。

近来英特尔(Intel)在现有CPU竞争实力基础上,开始朝存储器领域发展,反之存储器业者三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)为守护固有传统领域,则打算提出新标准规格因应。全球服务器大厂慧与科技(HPE),则是计划与全球顶尖半导体及软件业者合作,开发新存储器接口架构。另一方面,韩国政府似乎也注意到这样的趋势,决定展开国家级存储器中心的运算架构研究计划。

韩国业界最近传出消息,指出固态技术协会(JEDEC)计划在2018年之内,提出非挥发性双列直插式存储器模块P(NVDIMM-P)标准,这套标准由三星、SK海力士等存储器业者主导。

NVDIMM可视为具有备份功能的DRAM模块,与非挥发性存储器NAND Flash或PRAM结合,成为一种混合存储器模块,如果发生无预警断电时,仍可安全储存数据或进行复原动作,对于需要大容量及非挥发性需求的部分服务器市场而言,具有相当程度吸引力。

SK海力士多年来,一直研发DRAM解决方案MDS(Managed DRAM Solution),目前的目标是透过与NVDIMM-P结合,持续进行技术研发。SK海力士提出自创DRAM技术标准MDS,相较于一般泛用型DRAM,速度虽然较慢,但容量大、价格低为主要优点。

三星2015年投资270亿韩元(约2,523万美元),予美国专门研发NVDIMM的企业Netlist,用以确保NVDIMM相关技术。此外,为了克服存储器本身极限,三星2018年初也启动名为储存处理(In Storage Processing;ISP)的中长期计划,不仅三星本身投入研发,三星也大手笔支持韩国科学技术院(KAIST)、首尔大学等约3~5年不等的研究计划。

英特尔与美光(Micron)则是瞄准服务器市场,共同开发名为Optane的3D-Xpoint。稍早,英特尔进一步宣布,推出新的Optane DC,可支持数据中心大量储存空间及满足业界对速度的殷殷需求。

全球服务器大厂慧与科技也携手三星、SK海力士、美光(Micron)、超微(AMD)、安谋(ARM)及Dell EMC等业者,共同开发名为「Gen-Z」的存储器中心运算技术,期望透过将许多SCM合而为一个巨大共享存储器池,透过数据并列大幅提升处理速度。

目前除了以CPU为中心拓展存储器市场的英特尔,以及致力透过存储器提升运算功能的三星、SK海力士,韩国政府似乎也注意到这个发展趋势,因此展开许多研究计划。

最近韩国电子通讯研究院(ETRI)就决定与Tera Technology、KTNF及韩国计算机运算协会等展开合作,进行存储器为中心的次世代计算机运算系统架构研发,这项研发计划称之为MOCA,韩国政府总支持金额为135亿韩元,2018年预计提拨13亿韩元,目标是在2025年完成计划。
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